DBC技術(shù)的優(yōu)越性:實(shí)現(xiàn)金屬和陶瓷鍵合的方法有多種,在工業(yè)上廣泛應(yīng)用的有效合金化方法是厚膜法及鉬錳法。厚膜法是將貴重金屬的細(xì)粒通過壓接在一起而組成,再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上,因此厚膜的導(dǎo)電性能比金屬銅差。鉬錳法雖使金屬層具有相對(duì)高的電導(dǎo),但金屬層的厚度往往很薄,小于25μm,這就限制了大功率模塊組件的耐浪涌能力。因此必須有一種金屬陶瓷鍵合的新方法來(lái)提高金屬層的導(dǎo)電性能和承受大電流的能力,減小金屬層與陶瓷間的接觸熱阻,且工藝不復(fù)雜。銅與陶瓷直接鍵合技術(shù)解決了以上問題,并為電力電子器件的發(fā)展開創(chuàng)了新趨勢(shì)。
1、DBC應(yīng)用
◇ 大功率電力半導(dǎo)體模塊;半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器;功率控制電路,功率混合電路;
◇ 智能功率組件;高頻開關(guān)電源,固態(tài)繼電器;
◇ 汽車電子,航天航空及軍用電子組件;
◇ 太陽(yáng)能電池板組件;電訊專用交換機(jī),接收系統(tǒng);激光等工業(yè)電子。
2、DBC特點(diǎn)
□ 機(jī)械應(yīng)力強(qiáng),形狀穩(wěn)定;高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率、高絕緣性;結(jié)合力強(qiáng),防腐蝕;
□ 極好的熱循環(huán)性能,循環(huán)次數(shù)達(dá)5萬(wàn)次,可靠性高;
□ 與PCB板(或IMS基片)一樣可刻蝕出各種圖形的結(jié)構(gòu);無(wú)污染、無(wú)公害;
□ 使用溫度寬-55℃~850℃;熱膨脹系數(shù)接近硅,簡(jiǎn)化功率模塊的生產(chǎn)工藝。
3、使用DBC優(yōu)越性
○ DBC的熱膨脹系數(shù)接近硅芯片,可節(jié)省過渡層Mo片,省工、節(jié)材、降低成本;
○ 減少焊層,降低熱阻,減少空洞,提高成品率;
○ 在相同載流量下 0.3mm厚的銅箔線寬僅為普通印刷電路板的10%;
○ 優(yōu)良的導(dǎo)熱性,使芯片的封裝非常緊湊,從而使功率密度大大提高,改善系統(tǒng)和裝置的可靠性;
○ 超薄型(0.25mm)DBC板可替代BeO,無(wú)環(huán)保毒性問題;
○ 載流量大,100A電流連續(xù)通過1mm寬0.3mm厚銅體,溫升約17℃;100A電流連續(xù)通過2mm寬0.3mm厚銅體,溫升僅5℃左右;
○ 熱阻低,10×10mmDBC板的熱阻:
0.63mm厚度陶瓷基片DBC的熱阻為0.31K/W
0.38mm厚度陶瓷基片DBC的熱阻為0.19K/W
0.25mm厚度陶瓷基片DBC的熱阻為0.14K/W
○ 絕緣耐壓高,保障人身安全和設(shè)備的防護(hù)能力;
○ 可以實(shí)現(xiàn)新的封裝和組裝方法,使產(chǎn)品高度集成,體積縮小。
4、陶瓷覆銅板DBC技術(shù)參數(shù)
注:
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本公司亦能承制用戶特殊要求的規(guī)格,公司擁有先進(jìn)的高溫鍵合、激光切割等精密生產(chǎn)設(shè)備,精良的工藝,完備檢測(cè)設(shè)備,嚴(yán)格的質(zhì)量控制,使銅圖形線條寬度最小為(1.2±0.2)mm,銅圖形線間的距離最小達(dá)(0.7±0.2)mm,而銅圖形線與陶瓷板邊緣的最小間距為0.5mm。
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